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型号 SI5908DC-T1-GE3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N-CH 20V 1206-8
SI5908DC-T1-GE3 PDF
代理商 SI5908DC-T1-GE3
产品目录绘图 DC-T1-E3 Series 1206-8
标准包装 3,000
系列 TrenchFET®
FET 型 2 个 N 沟道（双）
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 4.4A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 40 毫欧 @ 4.4A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 7.5nC @ 4.5V
功率 - 最大 1.1W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SMD，扁平引线
供应商设备封装 1206-8 ChipFET?
包装 带卷 (TR)
其它名称 SI5908DC-T1-GE3TR
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